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利用計劃

辦事效率建造難以承受、來源于鍛煉將會
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65W GaN單C口PD快充計劃實例

時候:2024-01-28   拜候量:3773


代謝物一大特色:

  • 融合直流高壓打火及X-CAP尖端放電,主導簡單
  • 最好任何頻度175kHz,有利于于降低了大約e充電囂重量
  • QR/DCM多主要形式人物,搞定全負載電阻高合作
  • 默認設置抖頻、軟開機啟動,EMI特殊性好
  • 具自歷史潮流雙電,VCCH比較高工作的電壓120V
  • 兼具傳遞側Brownin/Brownout擋拆、逐頻次限流回工率擋拆
  • 具備內部可調節過溫掩護、二次整流器短路掩護

【 框架圖 】
dc03.jpg


【 手藝參數 】

叁數
輸入電壓90Vac~265Vac
輸入電壓頻次50/60Hz
輸入電壓/電流5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A
輸入功率65W
效力EC COCV5 Tier2 and DOELV6
待機功耗<30mW


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